[发明专利]监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质有效
| 申请号： | 202111451988.X | 申请日： | 2021-12-01 |
| 公开（公告）号： | CN114324187B | 公开（公告）日： | 2023-10-20 |
| 发明（设计）人： | 沈志钦 | 申请（专利权）人： | 杭州富芯半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01N21/25 | 分类号： | G01N21/25 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 卢炳琼 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供一种监测刻蚀腔体颗粒的方法、装置、服务器及可读存储介质，在对刻蚀机台进行WAC工艺时，通过光谱EPD模块获取刻蚀机台内光谱信号强度随时间变化的EPD曲线，并通过对EPD曲线进行微分处理，可获取EPD微分曲线，并通过获取EPD曲线中的峰值信号及对峰值信号的分析，即可对刻蚀腔体进行颗粒掉落的判定；本发明通过光谱EPD模块可直接监测刻蚀腔体内在进行WAC工艺时，是否有颗粒掉落，从而便于后续工艺操作，可减少人力，提高判定准确率，避免由于颗粒掉落对刻蚀腔体及晶圆的污染，从而可提高监测效率，降低损失，降低对晶圆质量的影响程度。 | ||
| 搜索关键词： | 监测 刻蚀 颗粒 方法 装置 服务器 可读 存储 介质 | ||
【主权项】：
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