[发明专利]一种晶圆的多层堆叠键合方法在审

专利信息
申请号: 202111264686.1 申请日: 2021-10-28
公开(公告)号: CN114050110A 公开(公告)日: 2022-02-15
发明(设计)人: 张宁;吴道伟;霍瑞霞 申请(专利权)人: 西安微电子技术研究所
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/603;H01L21/768;H01L25/065
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 白文佳
地址: 710065 陕西*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明公开了一种晶圆的多层堆叠键合方法,属于半导体集成封装技术领域。键合顺序:第一层、第二层晶圆正面工艺‑第一层、第二层晶圆键合‑一侧晶圆减薄及背面工艺‑另一侧晶圆减薄及背面工艺‑第三层晶圆正面工艺及第二层与第三层晶圆键合‑第三层晶圆减薄及背面工艺,为薄晶圆的多层键合提出了解决方案。本发明方法不需要额外增加载片就能进行多层晶圆的键合,根据键合晶圆自身相互的承载作用,逐层增加键合晶圆的层数,规避了因临时键合胶变性难解开而裂片的风险。此外,对比单芯片堆叠,本发明方法显著提高了组装效率,是一种高效的多层晶圆级同质或异质高密度集成方法,应用前景和市场潜力非常广阔,具有重要的战略意义和社会效益。
搜索关键词: 一种 多层 堆叠 方法
【主权项】:
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