[发明专利]OLED器件及其制备工艺在审
申请号: | 202111158104.1 | 申请日: | 2021-09-30 |
公开(公告)号: | CN115915813A | 公开(公告)日: | 2023-04-04 |
发明(设计)人: | 金凌;卢泓;刘纪文 | 申请(专利权)人: | 武汉华美晨曦光电有限责任公司 |
主分类号: | H10K50/82 | 分类号: | H10K50/82;H10K50/84;H10K71/60 |
代理公司: | 南京正联知识产权代理有限公司 32243 | 代理人: | 卢霞 |
地址: | 430223 湖北省武汉市*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明公开了OLED器件及其制备方法,OLED器件包括依次连接于ITO基板上的阴极层、有机功能层和阳极层,所述阴极层上若干具有微纳结构,每一个所述微纳结构外表面上设有钝化层。周期性微纳结构的顶发射OLED器件阴极层制备工艺,采用多次曝光以及蒸镀处理,具有周期性微纳结构的底发射OLED器件阴极层制备工艺,用于制备器件结构为底发射OLED器件,微纳米结构主要是采用蒸镀过程中的若干块精密掩膜版来进行制备。本发明的OLED器件,通过在阴极层表面形成微纳结构,实现应急表面的致密平整减少了金属阴极端表面等离激元的损耗,以及提升了OLED器件的寿命。 | ||
搜索关键词: | oled 器件 及其 制备 工艺 | ||
【主权项】:
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