[发明专利]一种MOCVD连续式生长硒化钨薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种MOCVD连续式生长二维半导体硒化钨(WSe2)薄膜的制备方法，其包括以下步骤：清洗c面蓝宝石衬底；将清洗好的衬底放入MOCVD反应腔内，对衬底进行高温预处理，而后以六羰基钨(W(CO)6)和硒化氢(H2Se)为前驱体，通过MOCVD连续式生长，在蓝宝石上沉积WSe2薄膜；将生长在蓝宝石上的WSe2薄膜进行退火处理后得到连续，大面积且结晶质量高的成品。薄膜退火是在200℃~400℃的氢气(H2)和氩气(Ar)混合气氛下保温2~3小时进行的，退火处理过程中升降温速率为40~60℃/h；优点是前驱体均采用气体源，避免了粉体的碳污染；经过60 min‑100 min后可得到连续、大面积、电学性能高、生长可控的WSe2薄膜，在微电子领域有重要的应用前景。