[发明专利]碳包覆中空硅材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 202110991364.0 | 申请日： | 2021-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN113636561A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 严大洲;温国胜;杨涛;李艳平;韩治成;刘诚;孙强;万烨 | 申请（专利权）人： | 中国恩菲工程技术有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/025 | 分类号： | C01B33/025;C01B33/023;C01B32/05;H01M4/36;H01M4/38;H01M4/62;H01M10/0525 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 白雪 |
| 地址： | 100038*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种碳包覆中空硅材料及其制备方法和应用。该制备方法包括：对包含硼氢化钠及二氧化硅微球的第一分散液进行第一加热，得到中空二氧化硅；第一加热过程中，控制体系pH＞8、温度为45～55℃、时间为5～7h；将中空二氧化硅和还原剂混合进行还原反应，得到中空硅材料；对包含中空硅材料、有机物和甲醛水溶液的第二分散液进行喷雾造粒，得到中间产物；在惰性气体或氮气中，对中间产物进行煅烧，得到碳包覆的中空硅材料。本发明上述制备方法成本较低、环保性较佳、安全性较佳，工艺条件更简单、材料形貌和分散性更易调控，故而得到的材料作为硅负极应用时，电池具有更高的导电性及更佳的循环稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 碳包覆 中空 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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