[发明专利]一种LDMOS晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 202110921916.0 | 申请日： | 2021-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN113380627B | 公开（公告）日： | 2021-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王行之;李庆民;陈信全;杨宗凯;许春龙 | 申请（专利权）人： | 晶芯成（北京）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 田婷 |
| 地址： | 100176 北京市大兴区北京经济技术开*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种LDMOS晶体管及其形成方法中，LDMOS晶体管的形成方法包括：提供一衬底，衬底内形成体区和漂移区；在体区和漂移区的交界处的衬底上形成栅极结构，栅极结构包括栅极层、第一侧墙和第二侧墙；刻蚀去除第二侧墙，并暴露出栅极层一个侧壁；氧化处理栅极层以形成第一氧化层；形成源区和漏区，漏区与栅极层在漂移区的正投影之间相邻设置，通过将漏区与所述栅极结构在衬底上的正投影相邻接设置，可以减小器件的尺寸以及减小电流通路，降低LDMOS晶体管的导通电阻，通过在栅极层靠近漏区的侧壁上形成第一氧化层，以提升击穿电压，从而实现击穿电压和导通电阻之间的平衡，减小LDMOS晶体管的损耗，提高LDMOS晶体管的输出功率以及综合性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 ldmos 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
