[发明专利]一种静电保护器件有效
申请号: | 202110892121.1 | 申请日: | 2021-08-04 |
公开(公告)号: | CN113345887B | 公开(公告)日: | 2021-11-30 |
发明(设计)人: | 朱伟东;赵泊然 | 申请(专利权)人: | 江苏应能微电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人: | 曹祖良;陈丽丽 |
地址: | 213000 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及半导体技术领域,具体公开了一种静电保护器件,其中,包括:第一导电类型衬底和第二导电类型外延层,第二导电类型外延层内设置第二导电类型阱区和第一导电类型阱区,第二导电类型阱区内设置有第一N+区和第一P+区,第一导电类型阱区内设置有第二N+区和第二P+区,第二导电类型阱区与第一导电类型阱区的相切位置处设置第三N+区,在第三N+区与第二N+区之间设置齐纳注入ZP区,第三N+区与齐纳注入ZP区接触,齐纳注入ZP区与第二N+区之间设置肖特基注入P型区,肖特基注入P型区分别与齐纳注入ZP区以及第二N+区间隔设置。本发明提供的静电保护器件能够解决由于少子存储效应所导致的负向钳位电压上升问题以及响应速度过慢的问题。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 保护 器件 | ||
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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