[发明专利]基于金属氧化物界面工程的场效应晶体管、pH传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202110791154.7 | 申请日： | 2021-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN113533481A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 朱博文;任慧慧 | 申请（专利权）人： | 西湖大学 |
| 主分类号： | G01N27/414 | 分类号： | G01N27/414 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人： | 贾玉霞 |
| 地址： | 310024 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于金属氧化物界面工程的场效应晶体管、pH传感器及其制备方法，从下往上依次包括硅衬底、介电层、图形化的氧化铟沟道，所述氧化铟沟道上设有源极和漏极，所述氧化铟沟道，源极和漏极上盖有一层氧化铝钝化层。通过基于溶液法的工艺在氧化铟场效应晶体管上沉积了一层超薄的氧化铝，制备了pH响应的氧化铝/氧化铟界面。所述的氧化铝钝化层有效地保护了氧化铟半导体沟道，在长期连续的pH监测下，本发明制成的pH传感器具有低工作电压、高灵敏度和低漂移的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 氧化物 界面 工程 场效应 晶体管 ph 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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