[发明专利]晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸块的成型方法在审
| 申请号： | 202110735094.7 | 申请日： | 2021-06-30 |
| 公开（公告）号： | CN113471061A | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 许冠猛 | 申请（专利权）人： | 颀中科技（苏州）有限公司;合肥颀中封测技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 胡彭年 |
| 地址： | 215000 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种晶圆表面介电层的制备方法、晶圆结构及凸块的成型方法，所述制备方法包括如下步骤：提供晶圆；在晶圆的上表面形成对位标记，其中，对位标记为厚度不低于0.3μm的金属块；在形成对位标记后的晶圆的上表面形成一介电层。与现有技术相比，本申请优化了晶圆介电层的制备工艺，在晶圆表面成型出介电层之前，预先在晶圆表面制备出对位标记。由于对位标记的厚度达0.3μm以上，具有较好的突出可见性，其在晶圆的后续工艺中能够很好的被识别并被用于定位，有利于后续工艺的展开；有效避免了在介电层制备阶段，因对位标记不可见而需返工的问题，保障了制程工艺的连续性，提高了生产效率，也节省了返工的人力物力成本。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 介电层 制备 方法 结构 成型 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
