[发明专利]具有插入层的发光二极管外延片及其制备方法在审
| 申请号： | 202110701312.5 | 申请日： | 2021-06-23 |
| 公开（公告）号： | CN113644172A | 公开（公告）日： | 2021-11-12 |
| 发明（设计）人： | 王群;王江波;葛永晖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/22;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了具有插入层的发光二极管外延片及其制备方法，属于发光二极管制作领域。n型GaN层与多量子阱层之间增加插入层，多量子阱层包括多个交替层叠的InGaN阱层与GaN垒层。插入层则包括依次层叠的InGaN子层与GaN子层，降低插入层所需的生长成本。InGaN子层靠近GaN子层的表面具有多个相互间隔的纳米尺寸的凹坑，释放应力。GaN子层填平凹坑，保证在GaN子层上生长的多量子阱层的质量较好，另一方面使部分缺陷湮灭在凹坑处，在凹坑处进一步释放应力，减小延伸至多量子阱层内的缺陷，最终有效提高多量子阱层的晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 插入 发光二极管 外延 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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