[发明专利]一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法有效
| 申请号： | 202110659746.3 | 申请日： | 2021-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN113421733B | 公开（公告）日： | 2022-05-27 |
| 发明（设计）人： | 徐秀兰;黄意雅;张辉;冯春;于广华 | 申请（专利权）人： | 季华实验室 |
| 主分类号： | H01F10/14 | 分类号： | H01F10/14;H01F41/14;H01F41/18;H01F41/22 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 528200 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种增加铁磁薄膜材料的垂直磁各向异性的方法，通过在经过表面抛光和氩离子轰击处理后的Si基片上，沉积Ta/TiC/Co/Ta多层膜结构的方式，并在沉积完毕后进行热处理和冷却降温的方式，制备得到铁磁薄膜材料，本发明通过在制备所述铁磁薄膜材料的Co薄膜的过程中，引入适当的TiC缓冲层的方式，显著增强了Co薄膜的垂直磁各向异性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 增加 薄膜 材料 垂直 各向异性 方法 | ||
【主权项】：
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