[发明专利]极紫外线微影方法、极紫外线遮罩及其形成方法在审
| 申请号： | 202110653476.5 | 申请日： | 2021-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN113359384A | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 石志聪;吴于勳;刘柏村;李宗泉 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/24 | 分类号： | G03F1/24;G03F1/52;G03F1/54 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在一些实施例中，一种极紫外线微影方法、极紫外线遮罩及其形成方法，形成极紫外线(EUV)遮罩的方法包含形成多层Mo/Si叠层，此多层Mo/Si叠层包括在遮罩基材之上交替堆叠的Mo层及Si层；在多层Mo/Si叠层之上形成钌覆盖层；采用卤素元素、五价元素、六价元素、或其等的组合掺杂钌覆盖层；在钌覆盖层之上形成吸收层；蚀刻吸收层以在吸收层中形成图案。 | ||
| 搜索关键词： | 紫外线 方法 及其 形成 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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