[发明专利]非易失性存储器芯片在审
| 申请号： | 202110578244.8 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113220240A | 公开（公告）日： | 2021-08-06 |
| 发明（设计）人： | 王佩璇;雷冬梅 | 申请（专利权）人： | 普冉半导体（上海）股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F3/06 | 分类号： | G06F3/06 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 王江富 |
| 地址： | 201210 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器芯片，其包括定时电路、读写控制电路、存储阵列；存储阵列包括主存储区；主存储区用于存储常规数据；定时电路在非易失性存储器芯片出厂时开始计时，当计时时长达到设定时长，则输出芯片寿命到期信号到读写控制电路；读写控制电路当接收到定时电路发来的芯片寿命到期信号，则将主存储区中的数据读出并保存，然后对主存储区进行擦除操作，再将从主存储区中读出并保存的数据重新写入主存储区。该种非易失性存储器芯片，能有效延长非易失性存储器芯片的数据存储寿命，提高数据安全性，节省芯片成本。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 芯片 | ||
【主权项】：
暂无信息
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