[发明专利]直流电弧驱动的等离子体合成射流阵列激励装置和方法在审
申请号: | 202110574889.4 | 申请日: | 2021-05-25 |
公开(公告)号: | CN113316303A | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 宗豪华;吴云;梁华;张志波;宋慧敏;贾敏 | 申请(专利权)人: | 中国人民解放军空军工程大学 |
主分类号: | H05H1/36 | 分类号: | H05H1/36;H05H1/34 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 710051 陕西省*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种直流电弧驱动的等离子体合成射流阵列同步激励装置,包含一个直流电源、一个高压脉冲发生器、两个高压硅堆、两个电阻器、一个高压电子开关Q1和若干个等离子体合成射流激励器串联在一起形成的阵列;高压脉冲发生器、高压硅堆D2和等离子体合成射流激励器阵列组成一个高压击穿回路;直流电源、电阻器R2、高压硅堆D1和激励器阵列组成了一个直流供电回路,保证放电不熄灭;直流电源、高压电子开关Q1、电阻器R1、高压硅堆D1和激励器阵列形成一个脉冲放电回路;这三个供电回路交替工作,来实现等离子体合成射流的高频工作。还提供一种直流电弧驱动的等离子体合成射流阵列同步激励方法。本发明激励装置只需要一次高压击穿过程,不使用重频高压脉冲电源。 | ||
搜索关键词: | 直流 电弧 驱动 等离子体 合成 射流 阵列 激励 装置 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国人民解放军空军工程大学,未经中国人民解放军空军工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110574889.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。