[发明专利]实现约瑟夫森结选择性外延生长的方法、装置和介质在审
| 申请号： | 202110574810.8 | 申请日： | 2021-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314661A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郭楠;卓兰;张弛 | 申请（专利权）人： | 中国电子技术标准化研究院 |
| 主分类号： | H01L39/24 | 分类号： | H01L39/24;H01L39/22;C23C16/34;B82Y40/00;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 北京融智邦达知识产权代理事务所(普通合伙) 11885 | 代理人： | 吴强 |
| 地址： | 100007 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供一种实现约瑟夫森结选择性外延生长的方法、装置和介质。所述约瑟夫森结为超导电路约瑟夫森结，其基于拓扑绝缘体来实现所述选择性外延生长，所述方法具体包括：步骤S1、通过对晶片进行预处理，来获取掩膜版，所述掩膜版用于所述约瑟夫森结选择性外延生长；步骤S2、使用氢氟酸对所述掩膜版中的二氧化硅薄膜进行各向同性蚀刻，使得所述掩膜版悬空；步骤S3、利用电子束蒸发器喷射高温雾化的拓扑绝缘体，使得所述拓扑绝缘体透过沟槽上方的掩膜版进行所述选择性外延生长；以及步骤S4、将超导体沉积在完成所述选择性外延生长的拓扑绝缘体上，以获取由所述超导体和拓扑绝缘体构成的所述约瑟夫森结。 | ||
| 搜索关键词： | 实现 约瑟夫 选择性 外延 生长 方法 装置 介质 | ||
【主权项】：
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