[发明专利]一种晶硅PERC电池结构及其制备方法在审
申请号: | 202110561679.1 | 申请日: | 2021-05-23 |
公开(公告)号: | CN113161441A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;张云鹏;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | 本发明涉及晶硅PERC电池生产领域。一种晶硅PERC电池结构,该晶硅PERC电池从下至上依次为全铝背场或铝栅线(2)、背面钝化膜(3)、基体P型硅(6)、N型发射极(7)、正面钝化膜(9),晶硅PERC电池背面有背面激光开槽(5),背面激光开槽(5)中印刷有背银电极(1),晶硅PERC电池正面的N型发射极(7)和正面钝化膜(9)上有正面激光镂空槽(8),正面激光镂空槽(8)处有正面一次印刷银电极(10)和正面二次印刷银电极(11)。本发还涉及该晶硅PERC电池结构的生产方法。 | ||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的