[发明专利]一种晶硅PERC电池结构及其制备方法在审
申请号: | 202110561679.1 | 申请日: | 2021-05-23 |
公开(公告)号: | CN113161441A | 公开(公告)日: | 2021-07-23 |
发明(设计)人: | 杨飞飞;张波;鲁贵林;赵科巍;张云鹏;吕爱武;杜泽霖;李陈阳 | 申请(专利权)人: | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L31/068 | 分类号: | H01L31/068;H01L31/0224;H01L31/18 |
代理公司: | 太原市科瑞达专利代理有限公司 14101 | 代理人: | 李富元 |
地址: | 046000 山*** | 国省代码: | 山西;14 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 perc 电池 结构 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及晶硅PERC电池生产领域。一种晶硅PERC电池结构,该晶硅PERC电池从下至上依次为全铝背场或铝栅线(2)、背面钝化膜(3)、基体P型硅(6)、N型发射极(7)、正面钝化膜(9),晶硅PERC电池背面有背面激光开槽(5),背面激光开槽(5)中印刷有背银电极(1),晶硅PERC电池正面的N型发射极(7)和正面钝化膜(9)上有正面激光镂空槽(8),正面激光镂空槽(8)处有正面一次印刷银电极(10)和正面二次印刷银电极(11)。本发还涉及该晶硅PERC电池结构的生产方法。
技术领域
本发明涉及晶硅PERC电池生产领域。
背景技术
当前,光伏制造产业中,PERC电池作为性价比比较高的光伏产品,进一步的发展依然面临转换效率瓶颈的问题,下一代新型电池技术包括HJT、TOPCon、IBC的量产则存在设备成本高、上下游配套不健全等问题,因此如何进一步提高PERC电池的转换效率,满足持续降低光伏制造产品度电成本的要求,是当下光伏制造技术的重要研究方向。
发明内容
本发明的目的是提供一种新型晶硅PERC电池结构,且其制备方法简单,兼容性强,不过多增加成本的前提下,进一步提高PERC电池的转换效率,从而延长PERC电池运转周期。
本发明所采用的技术方案是:一种晶硅PERC电池结构,该晶硅PERC电池从下至上依次为全铝背场或铝栅线(2)、背面钝化膜(3)、基体P型硅(6)、N型发射极(7)、正面钝化膜(9),晶硅PERC电池背面有背面激光开槽(5),背面激光开槽(5)中印刷有背银电极(1),晶硅PERC电池正面的N型发射极(7)和正面钝化膜(9)上有正面激光镂空槽(8),正面激光镂空槽(8)处有正面一次印刷银电极(10)和正面二次印刷银电极(11)。
正面激光镂空槽(8)为多条平行的虚实相间的槽线,其中,每条虚槽线与每条实槽线的长度比为1:1,相邻两条槽线的间距为一条实槽线的长度的1-1.5倍。
槽线宽度为120μm,每条虚线的长度为1mm。
正面一次印刷银电极(10)为多条平行的虚实相间的镂空银印刷线,其中,每条虚镂空银印刷线与每条实镂空银印刷线的长度比为1:1,相邻两条镂空银印刷线的间距为相邻两条槽线的间距的1-1.1倍,每条实镂空银印刷线的长度小于每条实槽线的长度,每条实镂空银印刷线的宽度小于每条实槽线的。
正面二次印刷银电极(11)为多条平行的实线银印刷线,每条实线银印刷线印刷在一条镂空银印刷线上。
一种晶硅PERC电池结构的制备方法,按如下的步骤进行
步骤一、对基体P型硅进行双面制绒;
步骤二、制绒完成后在正面进行磷扩散,形成PN结,获得N型发射极(7);
步骤三、在N型发射极(7)上进行正面激光开槽,开多条平行的虚实相间的槽线形成正面激光镂空槽(8);
步骤四、进行双面去PSG然后进行背面抛光;
步骤五、进行双面钝化,制备正面钝化膜(9)和背面钝化膜(3);
步骤六、在背面进行激光开槽,形成背面激光开槽(5);
步骤七、在背面激光开槽(5)印刷银电极,并烘干,形成背银电极(1);
步骤八、在背面印刷铝浆形成全铝背场或铝栅线(2);
步骤九、在正面激光镂空槽(8)处印刷镂空银印刷线,形成正面一次印刷银电极(10),并烘干;
步骤十、在正面一次印刷银电极(10)上印刷实线银印刷线,形成正面二次印刷银电极(11),然后烘干和烧结;
步骤十一、进行LID氢钝化处理。
正面一次印刷银电极(10)采用的银浆为对正面钝化膜(9)腐蚀性强的银浆,正面二次印刷银电极(11)采用的银浆为对正面钝化膜(9)非腐蚀性或弱腐蚀性的银浆。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的