[发明专利]一种晶圆切割方法在审
| 申请号： | 202110559196.8 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN115366272A | 公开（公告）日： | 2022-11-22 |
| 发明（设计）人： | 胡杰 | 申请（专利权）人： | 海太半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | B28D5/00 | 分类号： | B28D5/00;H01L21/78 |
| 代理公司： | 无锡市朗高知识产权代理有限公司 32262 | 代理人： | 赵华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆切割方法，用于对晶元进行高精度切割；包括晶圆芯片，胶层，基板和增加层，所述增加层为底面覆盖DAF膜的晶圆假片；包括以下步骤：S1：准备晶元假片，在晶元背面贴上DAF膜；S2：在待切割晶元假片上划分形成四个顶点都在待切割晶元圆周上的矩形区；S3：低功率切割两个沟槽；S4：在所述两个沟槽之间高功率切割缝隙；S5：在待切割晶元上的非矩形区域按照横向和竖向切割形成面积相对较小的第二芯片区；S6：继续后序工序：焊线，塑封；本发明的有益效果：提高晶元切割的精度，提高产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 切割 方法 | ||
【主权项】：
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