[发明专利]小信号管芯背金工艺在审
| 申请号： | 202110555614.6 | 申请日： | 2021-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN113299549A | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘官超;刘峻成 | 申请（专利权）人： | 深圳市联冀电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/285 | 分类号： | H01L21/285;H01L29/41;H01L29/45 |
| 代理公司： | 北京市浩东律师事务所 11499 | 代理人： | 张乐中 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市宝安区西乡街道桃源*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了小信号管芯背金工艺，该工艺具体包括如下步骤：晶片正面贴保护膜，背面减薄一定的厚度，减薄厚度为3‑10um，去除晶片正面的保护膜层，以便后续工艺的继续，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti淀积温度180℃‑260℃，AL淀积温度150℃‑240℃，晶片背面淀积Ti/AL后进炉管合金，N2气和H2气氛围合金，合金温度380℃‑480℃，通过半导体专用设备蒸发台淀积Ti/AL膜层，Ti金属膜厚0.05‑0.2um，AL淀积温度1‑8um，晶片背面淀积Ti/AL后进炉管合金，N2气和H2气氛围合金。本发明所述的小信号管芯背金工艺，总体上降低了芯片企业的背金工艺的制造成本，改善了封装装片的便捷性，粘片的可靠性，提升了拉力，降低了封装的质量成本，增加了产品的竞争力和利润。 | ||
| 搜索关键词： | 信号 管芯 金工 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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