[发明专利]微发光二极管、微发光元件及显示器在审
申请号: | 202110505600.3 | 申请日: | 2021-05-10 |
公开(公告)号: | CN113328020A | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | 吴政;李佳恩;杨硕 | 申请(专利权)人: | 厦门三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L33/22 | 分类号: | H01L33/22;H01L33/44;G09F9/33 |
代理公司: | 北京汉之知识产权代理事务所(普通合伙) 11479 | 代理人: | 王立红 |
地址: | 361100 福建省厦门*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | 本申请公开了一种微发光二极管、微发光元件及显示器,该微发光二极管包括半导体堆叠层和绝缘层;半导体堆叠层具有相对设置的第一表面和第二表面,第一表面的全部区域或者部分区域为粗糙部;绝缘层至少覆盖半导体堆叠层的部分第二表面以及部分侧壁;位于半导体堆叠层侧壁的绝缘层包括侧部和水平部,侧部与水平部的交点落在半导体堆叠层的内部。本申请利用半导体堆叠层来保护半导体堆叠层侧壁处的绝缘层,避免绝缘层中侧部与水平部的交点在对第一表面粗化过程中暴露在蚀刻流体下,从而避免位于半导体堆叠层侧壁处的绝缘层受到损伤而导致绝缘层失效,提高微发光二极管的可靠性以及出光效率。 | ||
搜索关键词: | 发光二极管 发光 元件 显示器 | ||
【主权项】:
暂无信息
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