[发明专利]一种硅纳米线的制备方法在审
| 申请号： | 202110482783.1 | 申请日： | 2021-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN113345796A | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | 姚楚豪;李海亮;谢常青 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅纳米线的制备方法，通过清洗液对硅片进行清洗，得到清洗后的硅片；在所述清洗后的硅片的表面上沉积一层金属膜，得到沉积硅片；对所述沉积硅片进行退火处理；将退火处理后的所述沉积硅片浸入到腐蚀溶液中进行腐蚀处理，其中，所述腐蚀溶液包括氧化剂、氢氟酸和去离子水；将腐蚀处理后的所述沉积硅片进行清洗处理和干燥处理，得到硅纳米线。本发明公开的硅纳米线的制备方法，其制备工艺简单，能够有效降低制备成本，且能够有效提高制备效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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