[发明专利]一种硅纳米线的制备方法

权利要求书

1.一种硅纳米线的制备方法，其特征在于，所述方法包括：

通过清洗液对硅片进行清洗，得到清洗后的硅片；

在所述清洗后的硅片的表面上沉积一层金属膜，得到沉积硅片；

对所述沉积硅片进行退火处理；

将退火处理后的所述沉积硅片浸入到腐蚀溶液中进行腐蚀处理，其中，所述腐蚀溶液包括氧化剂、氢氟酸和去离子水；

将腐蚀处理后的所述沉积硅片进行清洗处理和干燥处理，得到硅纳米线。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过清洗液对硅片进行清洗，包括：

在所述清洗液包括丙酮、乙醇超声和去离子水时，依次通过所述丙酮、所述乙醇超声和所述去离子水对所述硅片进行清洗，再进行干燥处理，得到所述清洗后的硅片。

3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述清洗后的硅片的表面上沉积一层金属膜，得到沉积硅片，包括：

在所述清洗后的硅片的表面上沉积一层设定厚度的金膜，得到所述沉积硅片。

4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述在所述清洗后的硅片的表面上沉积一层设定厚度的金膜，包括：

采用电子束蒸发和磁控溅射方式在所述清洗后的硅片的表面上沉积一层所述设定厚度的金膜。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述沉积硅片进行退火处理，包括：

使用热板对所述沉积硅片进行退火处理，其中，在退火处理过程中退火温度为200℃至300℃，退火时间为20分钟至30分钟。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述腐蚀溶液采用质量百分比为49.5％的氢氟酸、质量百分比为30％的过氧化氢和去离子水按10:1:20的体积比配置而成。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述将退火处理后的所述沉积硅片浸入到腐蚀溶液中进行腐蚀处理，

将退火处理后的所述沉积硅片浸入到所述腐蚀溶液中进行腐蚀处理20分钟至30分钟。

8.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述将腐蚀处理后的所述沉积硅片进行清洗处理和干燥处理，得到硅纳米线，包括：

将腐蚀处理后的所述沉积硅片放入混合水溶液中去除所述沉积硅片上的金膜；

在将去除金膜后的所述沉积硅片进行清洗处理和干燥处理，得到所述硅纳米线。

9.如权利要求8所述的方法，其特征在于，所述混合水溶液由质量百分比为10％的碘化钾、质量百分比为2.5％的碘和水配置而成。

10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述在将去除金膜后的所述沉积硅片进行清洗处理和干燥处理，得到所述硅纳米线，包括：

在将去除金膜后的所述沉积硅片依次通过丙酮、乙醇和去离子水进行清洗，再进行干燥处理，得到所述硅纳米线。