[发明专利]掺杂型过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了掺杂型过渡金属硫族元素化合物薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括以下步骤：提供衬底，衬底的内部具有过渡金属源，所述衬底的表面具有异质金属源；将硫族元素源与所述衬底接触，在保护性气氛中加热，发生化学气相沉积反应，得到掺杂型过渡金属硫族化合物薄膜。过渡金属源在加热处理过程中，从衬底中不断扩散并从衬底的表面析出。析出的过渡金属源与硫族元素源在保护性气氛中发生化学气相沉积反应，而异质金属源在过渡金属硫族化合物的生长过程中嵌入晶格，得到掺杂的样品。本方法所采用的双面反应源供给策略提升了对掺杂的金属元素浓度的调控能力，并解决了单面源模式下多种金属元素掺杂时的普适性问题。