[发明专利]基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件有效
| 申请号： | 202110442700.6 | 申请日： | 2021-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN113285017B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 袁野;王伟;王元 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/10 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 罗运红 |
| 地址： | 210003 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种基于磁性多层膜结构的斯格明子存储器件。该存储器件包括：半金属层、缓冲层和铁磁层；所述缓冲层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述缓冲层与所述铁磁层的接触面，相对于与所述半金属层的接触面的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的厚度由一边向对应的对边呈线性递增或递减，使所述铁磁层与所述缓冲层的接触面，相对于所述半金属层的倾斜度为15°‑20°，所述铁磁层的表面相对于所述半金属层的倾斜度为10°‑15°，所述半金属层采用的材料为Weyl半金属，可以增加磁性作用，并产生室温下稳定的斯格明子，可在室温下形成斯格明子存储器件，从而降低了存储器件的运行功耗，极大提高存储器件的稳定性和运行速度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 磁性 多层 膜结构 明子 存储 器件 | ||
【主权项】：
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