[发明专利]一种OLED驱动集成电路闪存设备的制造方法

摘要

本发明公开了一种OLED驱动集成电路闪存设备的制造方法，包括如下步骤：1)在半导体衬底的有源区域上形成元件隔离图案，在所述有源区域上形成隧道氧化膜的图案，并形成具有侧边和上边的多晶硅图案；2)在隧道氧化膜上的侧壁和与侧壁连接的上侧，形成亚稳态多晶硅生长层；3)形成覆盖亚稳态多晶硅生长层的ONO膜，并形成所述亚稳态多晶硅生长层；4)在ONO膜上形成控制栅，在亚稳态多晶硅生长层的侧壁和上侧分别形成亚稳态多晶硅生长层。本发明提高了影响闪存器件特性的栅极耦合系数，减小了隧道氧化膜和浮置栅极的接触面积，ONO膜和浮置栅极的接触面积得到了改进，并提高了闪存元件的性能。