[发明专利]一种基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器、阵列及其制备方法有效
| 申请号： | 202110430005.8 | 申请日： | 2021-04-21 |
| 公开（公告）号： | CN113206192B | 公开（公告）日： | 2022-07-26 |
| 发明（设计）人： | 陈星宇;张缪城;秦琦;倪康;陈子洋;韩翱泽;童祎 | 申请（专利权）人： | 南京邮电大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;G11C13/00 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 韩春霞 |
| 地址： | 210012 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器、阵列及其制备方法，其特征在于，包括多个相互平行且设有间隙的第二电极层，所述第二电极层上设有阻变层，所述阻变层包括设于第二电极层上的介质层和设于介质层上的MXene，所述介质层为钡铁氧体，所述介质层上设有多个相互平行且设有间隙的第一电极层，所述第一电极层与第二电极层之间交叉布设。本发明能够显著提高阻变层的开关特性和稳定性，使得基于MXene/钡铁氧体的铁电忆阻器能够更好的应用于多值存储，大大增加了铁电存储器的存储密度和应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 mxene 铁氧体 铁电忆阻器 阵列 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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