[发明专利]TSV测试方法及系统、设备及存储介质有效
| 申请号： | 202110404464.9 | 申请日： | 2021-04-15 |
| 公开（公告）号： | CN113270335B | 公开（公告）日： | 2022-11-11 |
| 发明（设计）人： | 朱晓锐;殷中云;邓玉良;郑伟坤;庄伟坚;李昂阳 | 申请（专利权）人： | 深圳市国微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市恒申知识产权事务所(普通合伙) 44312 | 代理人： | 鲍竹 |
| 地址： | 518057 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种TSV测试方法及系统、设备及存储介质，包括：将i初始化为0，判断i是否大于或等于M，若否，则选择N层堆叠芯片中的一组TSV链并赋值为i+1，并对TSV链进行测试；检测1～N层的TSV链是否存在故障，若存在，则检测第P层到第P+1层的TSV链；若第P层到第P+1层的TSV链存在故障，则记录TSV链存在故障的位置，将TSV链存在故障的位置发送至控制器并进行记录，直至1～N层中每一层间均检测完成；当1～N层中每一层间均检测完成后，重复判断i是否大于或等于M，若是，则通过控制器修复所述存在故障的TSV。该方法可以定位到出现故障的TSV上，只对TSV链上出现故障的TSV进行修复，无故障的TSV则不需要修复，且可使用冗余的TSV替换有故障的TSV，不会占用冗余TSV的资源。 | ||
| 搜索关键词： | tsv 测试 方法 系统 设备 存储 介质 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
