[发明专利]一种基于SOT效应产生偏置的磁性薄膜材料结构有效
| 申请号： | 202110402104.5 | 申请日： | 2021-04-14 |
| 公开（公告）号： | CN113314667B | 公开（公告）日： | 2023-05-30 |
| 发明（设计）人： | 陈伟斌;冷群文;朱大鹏;颜世申 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | H10N52/85 | 分类号： | H10N52/85;H10N52/00;H10N50/10;H10N50/85 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司 37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于SOT效应产生偏置的磁性薄膜材料结构，所述磁性薄膜材料结构采用顶钉扎结构或底钉扎结构，所述磁性薄膜材料结构包括基底、种子层、自旋产生层、反铁磁钉扎层、铁磁被钉扎层、非磁性间层、软磁自由层和覆盖层，所述的自旋产生层的制作材料为重金属、非磁金属、晶体薄膜或外耳半金属中的一种。本发明的磁性薄膜材料结构，自旋产生层的制作材料为重金属、非磁金属、晶体薄膜或外耳半金属中的一种，由于自旋产生层的特定材料可以使邻近反铁磁的铁磁层发生偏置，通过改变电流的方向会使偏置的方向改变，并且通过改变电流密度的大小可以改变偏置的大小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 sot 效应 产生 偏置 磁性 薄膜 材料 结构 | ||
【主权项】：
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