[发明专利]一种制备单晶镍铁氧体薄膜的方法有效
申请号: | 202110370455.2 | 申请日: | 2021-04-07 |
公开(公告)号: | CN113235159B | 公开(公告)日: | 2022-07-01 |
发明(设计)人: | 王悦;薛德胜 | 申请(专利权)人: | 兰州大学 |
主分类号: | C30B29/22 | 分类号: | C30B29/22;C30B23/08;C23C14/35;C23C14/08;C04B35/28;C04B35/622 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 林德强 |
地址: | 730000 甘肃*** | 国省代码: | 甘肃;62 |
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摘要: | 本发明公开了一种制备单晶镍铁氧体薄膜的方法,包括以下步骤:在室温下,采用镍铁氧体靶材,在单晶基片上通过磁控溅射,制备得到单晶镍铁氧体薄膜。本发明在室温下通过磁控溅射法可以制备得到单晶镍铁氧体薄膜,无需在溅射过程中对基片进行加热或是后续进行热处理,操作简单,可重复性高,应用前景广阔。 | ||
搜索关键词: | 一种 制备 单晶镍 铁氧体 薄膜 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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