[发明专利]一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构

摘要

本发明公开了一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构。所述光电探测器的外延结构从下到上依次包括半绝缘GaAs衬底、缓冲层、阴极接触层、集电层、过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、覆盖层和阳极接触层。本发明的外延结构用于光电探测器中，具有低暗电流、高响应度、高响应带宽和在零偏压下工作的特点，能够满足850nm波段短距离光互联系统的需求。