[发明专利]一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构

权利要求书

1.一种850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构，其特征在于，从下到上依次包括半绝缘GaAs衬底、GaAs缓冲层、Al_xGa_1-xAs阴极接触层、Al_xGa_1-xAs集电层、渐变Al_xGa_1-xAs过渡层、耗尽GaAs吸收层、非耗尽GaAs吸收层、Al_xGa_1-xAs覆盖层和GaAs阳极接触层。

2.如权利要求1所述的850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构，其特征在于，所述耗尽GaAs吸收层为本征GaAs层；所述非耗尽GaAs吸收层包括具有阶梯掺杂浓度的多层p型GaAs层；所述Al_xGa_1-xAs集电层为本征Al_0.15Ga_0.85As层。

3.如权利要求2所述的850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构，其特征在于，所述耗尽GaAs吸收层和Al_xGa_1-xAs集电层的掺杂浓度均为1×10¹⁵cm^-3以下。

4.如权利要求2所述的850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构，其特征在于，所述非耗尽GaAs吸收层包括掺杂浓度依次为2×10¹⁷cm^-3、5×10¹⁷cm^-3、1×10¹⁸cm^-3和2×10¹⁸cm^-3的四层p型GaAs层。

5.如权利要求1所述的850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构，其特征在于，所述GaAs缓冲层为掺杂浓度＜1×10¹⁵cm^-3的本征GaAs层；所述Al_xGa_1-xAs阴极接触层包括掺杂浓度依次为3×10¹⁸cm^-3和1×10¹⁸cm^-3的两层n型Al_0.15Ga_0.85As层；所述渐变Al_xGa_1-xAs过渡层依次包括掺杂浓度均为1×10¹⁵cm^-3以下的本征Al_0.10Ga_0.90As层和本征Al_0.05Ga_0.95As层；所述Al_xGa_1-xAs覆盖层为掺杂浓度等于2×10¹⁸cm^-3的p型Al_0.15Ga_0.85As层；所述GaAs阳极接触层为掺杂浓度等于1×10¹⁹cm^-3的p型GaAs层。

6.如权利要求1所述的850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构，其特征在于，所述GaAs缓冲层的厚度为200nm，所述Al_xGa_1-xAs阴极接触层的厚度为1100nm，所述Al_xGa_1-xAs集电层的厚度为300nm，所述渐变Al_xGa_1-xAs过渡层的厚度为20nm，所述耗尽GaAs吸收层的厚度为1400nm，所述非耗尽GaAs吸收层的厚度为200nm，所述Al_xGa_1-xAs覆盖层的厚度为400nm，所述GaAs阳极接触层的厚度为50nm。

7.如权利要求4所述的850nm波段零偏压工作的光电探测器的外延结构，其特征在于，所述非耗尽GaAs吸收层中，四层p型GaAs层的厚度均为50nm。