[发明专利]一种用于阵列基板的防静电结构及方法在审
申请号: | 202110360189.5 | 申请日: | 2021-04-02 |
公开(公告)号: | CN113138475A | 公开(公告)日: | 2021-07-20 |
发明(设计)人: | 沈志英 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | G02F1/13 | 分类号: | G02F1/13;G02F1/1333;G02F1/1345;G02F1/1362;H05F3/00 |
代理公司: | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人: | 远明 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本申请提供一种用于阵列基板的防静电结构及方法,所述防静电结构包括:至少一金属走线,设于一阵列基板内;至少一数据线,将所述金属走线连接至所述阵列基板内的一电子器件;所述数据线被切割为相对设置的第一导线段及第二导线段;第一导线段与第二导线段之间形成一间断区。当所述数据线所产生的耦合能量与所述间断区的间距平方成反比时,此时所述间断区的间距最大化,进而可以完全避免所述覆晶薄膜和驱动IC静电炸伤。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 阵列 静电 结构 方法 | ||
【主权项】:
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