[发明专利]一种用于阵列基板的防静电结构及方法在审

专利信息
申请号: 202110360189.5 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN113138475A 公开(公告)日: 2021-07-20
发明(设计)人: 沈志英 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: G02F1/13 分类号: G02F1/13;G02F1/1333;G02F1/1345;G02F1/1362;H05F3/00
代理公司: 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 代理人: 远明
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 本申请提供一种用于阵列基板的防静电结构及方法,所述防静电结构包括:至少一金属走线,设于一阵列基板内;至少一数据线,将所述金属走线连接至所述阵列基板内的一电子器件;所述数据线被切割为相对设置的第一导线段及第二导线段;第一导线段与第二导线段之间形成一间断区。当所述数据线所产生的耦合能量与所述间断区的间距平方成反比时,此时所述间断区的间距最大化,进而可以完全避免所述覆晶薄膜和驱动IC静电炸伤。
搜索关键词: 一种 用于 阵列 静电 结构 方法
【主权项】:
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