[发明专利]一种用于阵列基板的防静电结构及方法在审
| 申请号： | 202110360189.5 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113138475A | 公开（公告）日： | 2021-07-20 |
| 发明（设计）人： | 沈志英 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/13 | 分类号： | G02F1/13;G02F1/1333;G02F1/1345;G02F1/1362;H05F3/00 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 远明 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 用于 阵列 静电 结构 方法 | ||
1.一种用于阵列基板的防静电结构，其特征在于，包括：
至少一金属走线，设于一阵列基板内；以及
至少一数据线，将所述金属走线连接至所述阵列基板内的一电子器件；
其中，所述数据线被切割为相对设置的第一导线段及第二导线段；第一导线段与第二导线段之间形成一间断区。
2.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于，
所述间断区设有空气介质或绝缘胶层。
3.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于，
所述间断区的间距为38μm-42μm。
4.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于，
所述金属走线与所述数据线之间存在绝缘介质。
5.根据权利要求4所述的防静电结构，其特征在于，
所述金属走线通过过孔连接至所述数据线；
所述金属走线与所述数据线相互垂直。
6.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于，
当所述数据线被切割时，获取所述数据线所产生的耦合能量与所述间断区的间距。
7.根据权利要求6所述的防静电结构，其特征在于，
根据安培力定律，当所述数据线所产生的耦合能量与所述间断区的间距平方成反比时，此时所述间断区的间距最大化。
8.根据权利要求1所述的防静电结构，其特征在于，还包括：
槽孔，设于所述间断区；
当所述数据线被切割时，所述槽孔用以装载所述数据线的碎屑。
9.一种用于阵列基板的防静电方法，其特征在于，包括如下步骤：
在一阵列基板内设置至少一金属走线及数据线；
对阵列基板进行点灯检测；
去除所述数据线的一段，使得所述数据线被切割为相对设置的第一导线段及第二导线段；第一导线段与第二导线段之间形成一间断区。
10.根据权利要求9所述的防静电方法，其特征在于，
采用激光切割的方式去除所述数据线的一段，使得所述数据线被切割为相对设置的第一导线段及第二导线段；第一导线段与第二导线段之间形成一间断区。
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