[发明专利]一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法

摘要

本发明涉及一种背面选择性发射极TOPCON电池的制备方法，包括如下步骤：1）对N型硅片清洗制绒；2）正面硼扩散；3）背面酸洗、刻蚀或者抛光；4）背面氧化硅、多晶硅的复合双层制作；5)背面磷扩散；6）去除正面第二层多晶硅；7）印刷掩膜层；8）酸洗去正背面PSG、碱洗，碱抛形成轻、重扩区；9）正面沉积氧化铝；10）正面减反膜沉积；11）背面钝化膜沉积；12）电极印刷。本发明在炉管内直接制备出SiOx+Poly Si+SiOx+Poly Si复合双层结构，同时只需在原有的TOPCON电池制备流程上增加一步掩膜工序，通过清洗工艺就可以一步形成重、轻扩区，降低了制造成本低，易于实现量产化。