[发明专利]一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料及其制备方法在审
| 申请号： | 202110353246.7 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113088914A | 公开（公告）日： | 2021-07-09 |
| 发明（设计）人： | 叶志强;叶寒 | 申请（专利权）人： | 上海西普瀚芯电子科技有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/48 | 分类号： | C23C14/48;C23C14/08 |
| 代理公司： | 上海秋冬专利代理事务所(普通合伙) 31414 | 代理人： | 张月 |
| 地址： | 201900 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明适用于材料技术领域，提供了一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料及其制备方法，其中，所述用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料包括以下重量百分比的原料：氧化镧1%‑1.2%、余量为二氧化钼。本发明通过将特定比例的氧化镧掺杂入二氧化钼中所得到的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料具有优异的抗腐蚀性能，将其制造成阴极盾、离化反应腔进行离子注入芯片时，极大地减弱三氟化磷离子注入气对金属钼材料见光死效应，可使阴极盾、离化反应腔的使用寿命比原来纯钼、TZM钼合金的产品提高了三倍，大大降低了芯片离子注入生产成本，生产线维护成本随之大幅降低；另外，本发明在零件精密加工上具有加工零件产品光洁度、尺寸精度和形位精度高的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 离子 注入 阴极 反应 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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