[发明专利]一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料及其制备方法在审
申请号: | 202110353246.7 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN113088914A | 公开(公告)日: | 2021-07-09 |
发明(设计)人: | 叶志强;叶寒 | 申请(专利权)人: | 上海西普瀚芯电子科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/48 | 分类号: | C23C14/48;C23C14/08 |
代理公司: | 上海秋冬专利代理事务所(普通合伙) 31414 | 代理人: | 张月 |
地址: | 201900 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 离子 注入 阴极 反应 材料 及其 制备 方法 | ||
1.一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料,其特征在于,包括以下重量百分比的原料:
氧化镧 1%-1.2%、余量为二氧化钼。
2.一种用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料的制备方法,其特征在于,包括:
按照权利要求1所述的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料的配方称取原料,备用;
将氧化镧置于温度为750~850℃的焙烧炉中进行高温焙烧处理1~2小时,并经过筛控制颗粒不大于120目,备用;
将焙烧处理后的氧化镧与部分二氧化钼进行均匀混合,并经过筛控制颗粒不大于120目,得混合粉;
将所述混合粉与剩余部分二氧化钼进行均匀混合,得钼镧合金粉;
将所述钼镧合金粉置于还原设备中进行还原处理,并经过筛控制颗粒不大于160目,以及均匀混合后,备用;
将还原处理后的钼镧合金粉进行等静压制处理,得钼镧压制品;
将所述钼镧压制品置于烧结炉采用阶梯式升温工艺进行烧结处理,得烧结制品;
将所述烧结制品依次进行热锻造处理、热轧制处理以及退火处理,即得。
3.根据权利要求2所述的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料的制备方法,其特征在于,所述等静压制处理条件为:压制压力为1.5~2.5吨/cm2,保压时间为35~45分钟。
4.根据权利要求2所述的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料的制备方法,其特征在于,所述阶梯式升温工艺为室温-800℃/2小时,在800℃-1000℃保温2小时,1000℃-1850℃/3.5小时,1850℃保温7小时。
5.根据权利要求2所述的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料的制备方法,其特征在于,所述热锻造处理的开坯温度为1300℃-1350℃,开坯的第一次变形量为20-30%。
6.根据权利要求2所述的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料的制备方法,其特征在于,所述热轧制处理的开坯温度为1300℃-1350℃,开坯的第一次变形量为10-30%。
7.根据权利要求2所述的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料的制备方法,其特征在于,所述退火处理条件为:退火温度为900℃-1200℃,保温时间为2-4小时。
8.一种离化反应腔,其特征在于,所述离化反应腔是由权利要求1所述的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料制备得到。
9.一种阴极盾,其特征在于,所述阴极盾是由权利要求1所述的用于离子注入机的阴极盾、离化反应腔材料制备得到。
10.一种离子注入机,其特征在于,所述离子注入机包括权利要求8所述的离化反应腔和/或权利要求9所述的阴极盾。
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