[发明专利]一种基于二噻吩并苯并硒二唑的无掺杂空穴传输材料、钙钛矿太阳能电池及制备方法在审

专利信息
申请号: 202110352651.7 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN113105482A 公开(公告)日: 2021-07-13
发明(设计)人: 曹德榕;付亚杰;曾庆亮;唐浩;汪凌云 申请(专利权)人: 华南理工大学
主分类号: C07D517/14 分类号: C07D517/14;H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
代理公司: 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人: 何淑珍;江裕强
地址: 510640 广*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于二噻吩并苯并硒二唑的无掺杂空穴传输材料、钙钛矿太阳能电池及制备方法;无掺杂空穴传输材料的结构式如下,其中,R为C1‑C12的烷氧基链、C1‑C12的烷硫基链或C1‑C12的烷基链。本发明的无掺杂空穴传输材料引入了大共轭的二噻吩并苯并硒二唑基团核心结构,能够促进分子间的π‑π堆积,提高空穴迁移率,外围三苯胺基团使材料具有良好的溶解性和成膜性。实验结果表明,所述材料具有合成步骤较简单、能级与钙钛矿层匹配、热稳定性好等优点。将该无掺杂空穴传输材料应用于钙钛矿太阳能电池中,可以有效地提升器件的光电转换效率和稳定性,展现出良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 基于 噻吩 硒二唑 掺杂 空穴 传输 材料 钙钛矿 太阳能电池 制备 方法
【主权项】:
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