[发明专利]金属膜上介质周期结构折射率传感器及制备方法在审
申请号: | 202110349101.X | 申请日: | 2021-03-31 |
公开(公告)号: | CN113189047A | 公开(公告)日: | 2021-07-30 |
发明(设计)人: | 陈帅;甘昕;董金武;敖献煜 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学 |
主分类号: | G01N21/41 | 分类号: | G01N21/41;C23C14/30;C23C14/16;C23C14/08;C23C16/40;C23C16/455;C23C14/58;C23C28/00;G03F7/00 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 滕诣迪 |
地址: | 510000 *** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于金属膜上介质周期结构折射率传感器,传感元件为纳米光子结构,上至下分别为介质柱阵列,氧化铝保护层贵金属反射层,基底;由圆柱体介质柱构成的介质柱阵列呈中心对称的形状,且紧贴氧化铝表面;通过共振峰位置偏移测量折射率。本发明所制备的折射率传感器,制作工艺简单,有效区域面积大,灵敏度高,分辨率高,且性质稳定,不会因为处于一定的高温或者潮湿的环境下而失去性能。 | ||
搜索关键词: | 金属膜 介质 周期 结构 折射率 传感器 制备 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华南师范大学,未经华南师范大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110349101.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。