[发明专利]超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路

摘要

本发明涉及一种用于高压IGBT器件栅驱动所需要的超高压绝缘隔离IGBT半桥栅驱动电路，该电路包括输入接收电路、死区时间产生电路、低侧延时电路、低侧输出驱动电路、调制发送电路、4个高压电容、高共模瞬态抑制差分信号接收电路、高侧输出驱动电路、发送端低压产生电路和接收端低压产生电路。本发明所提供的超高压绝缘隔离SiC MOSFET栅驱动电路，一方面，采用高压绝缘隔离技术，可实现超高耐压绝缘电容；另一方面，可自动检测地电位共模瞬态噪声的大小，并在噪声超过阈值时对共模瞬态噪声产生的误差进行动态补偿。本发明可以广泛应用于驱动各类高压功率器件。