[发明专利]灰度掩模图形在审

专利信息
申请号: 202110346096.7 申请日: 2021-03-31
公开(公告)号: CN113093468A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 张雪;王辉 申请(专利权)人: 上海华虹宏力半导体制造有限公司
主分类号: G03F1/32 分类号: G03F1/32
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 焦健
地址: 201203 上海市浦东*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明公开了一种灰度掩模图形,在掩膜版上制作用于光刻形成具有一定倾角的斜坡;所述灰度掩膜图形的中心为一正方形结构,在所述正方形的四周分别排布有多行及多列的小尺寸的矩形孔结构阵列;以上边为初始、顺时针方向依次定义正方形的四条侧边分别为上侧边、右侧边、下侧边及左侧边;在正方形结构的上侧边外侧,定义平行于上侧边的为行,所述上侧边的外侧具有不少于3行的矩形孔结构;于同一行上的矩形孔结构具有相同的尺寸,位于不同行上的矩形孔结构具有不同的尺寸;所述矩形孔结构的尺寸,是从整个灰度掩膜图形的中心处往外侧方向不同行上的矩形孔结构尺寸逐渐缩小。通过设置不同行的矩形孔结构尺寸大小组合,能形成不同倾角的斜坡。
搜索关键词: 灰度 图形
【主权项】:
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