[发明专利]DKDP晶体长籽晶二维运动生长方法有效
| 申请号： | 202110341818.X | 申请日： | 2021-03-30 |
| 公开（公告）号： | CN113089074B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 陈端阳;李明伟;齐红基;邵建达;王斌;刘杭;尹华伟;周川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所;重庆大学 |
| 主分类号： | C30B7/00 | 分类号： | C30B7/00;C30B29/14 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种基于二维运动的DKDP晶体长籽晶生长方法，具有两大优势，一是沿柱面生长晶体，不存在低光学质量的柱锥交界面；二是免除了转晶法晶体生长中不可避免的迎流、侧流和尾流三种易引起包裹物形成的流动区域。长籽晶在新鲜溶液中周期运动，运动一周四个柱面能实现可逆剪切流，且柱面上任一点在一个运动周期内经历完全一样的流体力学条件，使溶质供应既充分又均匀，生长速度得以提高，形貌稳定性能得到保证。该方法有利于快速生长高质量的DKDP晶体，为ICF激光装置所需的大尺寸、高质量DKDP晶体生长提供较好的解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | dkdp 晶体 籽晶 二维 运动 生长 方法 | ||
【主权项】：
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