[发明专利]石墨舟片及石墨舟在审
申请号: | 202110340069.9 | 申请日: | 2021-03-30 |
公开(公告)号: | CN112962086A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 廖宝臣;张密超;左敏;杨柳 | 申请(专利权)人: | 江苏微导纳米科技股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;C23C16/50;C23C16/455;H01L31/18 |
代理公司: | 苏州佳博知识产权代理事务所(普通合伙) 32342 | 代理人: | 罗宏伟 |
地址: | 214028 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 一种石墨舟片,设有硅片覆盖区,所述硅片覆盖区设有多个长条形通孔,所述通孔的宽度≤16mm,由此,可使硅片与石墨舟片贴合紧密,同时产生更均匀的电场,可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题,解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜,如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON电池背面镀氧化硅的质量问题。尤其是目前光伏行业往大硅片的方向发展,更突显了镀膜均匀性和质量的重要性,为高效大硅片电池的发展铺平道路。 | ||
搜索关键词: | 石墨 | ||
【主权项】:
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
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