[发明专利]石墨舟片及石墨舟

说明书

一种石墨舟片，设有硅片覆盖区，所述硅片覆盖区设有多个长条形通孔，所述通孔的宽度≤16mm，由此，可使硅片与石墨舟片贴合紧密，同时产生更均匀的电场，可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题，解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜，如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON电池背面镀氧化硅的质量问题。尤其是目前光伏行业往大硅片的方向发展，更突显了镀膜均匀性和质量的重要性，为高效大硅片电池的发展铺平道路。

技术领域

本发明涉及一种用于双面镀膜的石墨舟片及具有该石墨舟片的石墨舟，属于太阳能电池镀膜技术领域。

背景技术

随着太阳能发电的普及，相关的光伏产品需求量越来越大，因此对光伏设备的要求越来越高，不仅要增加产能，而且需要更好的控制质量，管式PECVD(Plasma EnhancedChemical Vapor Deposition，等离子体增强化学气相沉积法)和管式PEALD(PlasmaEnhanced Atomic Layer Deposition)设备是太阳能电池片生产中重要的设备，主要是完成硅片表面的镀膜。

在新型N型硅片上镀膜需要硅片上产生均匀的电场，传统的镂空石墨舟片因镂空面积较大，电流存在差异导致镂空位置镀膜偏薄；使用传统的实心石墨舟，重量增加60％以上石墨舟载具存在载重上限，对载具的考验较大，且实心石墨舟片在加热状态下整体的变形比较严重，对电池片整体镀膜影响较大且存在背面绕镀问题。同时，目前光伏行业往大硅片的方向发展，如何解决大硅片上镀膜均匀性和质量的问题变的尤为重要和迫在眉睫。

因此，亟需一种新的石墨舟片结构以解决上述技术问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种能够有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题的石墨舟片及具有该石墨舟片的石墨舟。

为实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种石墨舟片，设有硅片覆盖区，所述硅片覆盖区设有多个长条形通孔，所述通孔的宽度≤16mm。

作为本发明进一步改进的技术方案，多个所述通孔相互平行。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述石墨舟片的正反面还设有从所述通孔末端向外侧延伸的导气凹槽。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述石墨舟片的正反面还设有方形凹槽，所述通孔位于所述方形凹槽所在区域。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述石墨舟片还设有自所述方形凹槽向外侧延伸的导气凹槽。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述方形凹槽的深度为0.3-1.0mm。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述导气凹槽和所述方形凹槽的深度相同。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述通孔方向与所述石墨舟片底边夹角为3°。

作为本发明进一步改进的技术方案，所述通孔和卡点的距离≥15mm。

本发明还采用如下技术方案：一种石墨舟，其包括内片和外片，所述内片采用权利要求1-10中其中一项所述的石墨舟片，所述石墨舟片的边长≤230mm。

相较于现有技术，本发明石墨舟片及具有该石墨舟片的石墨舟的硅片覆盖区设有多个通孔，所述通孔的宽度≤16mm，通孔1用于防止出现电场不均匀现象，由此设计，可使硅片与石墨舟片贴合紧密，同时产生更均匀的电场，可有效解决管式PECVD/PEALD在N型硅片上镀膜均匀性问题且兼顾解决背面绕镀问题，解决了当前管式设备针对N型硅片镀膜，如氧化铝以及隧穿氧化层钝化接触TOPCON(Tunnel Oxide Passivated Contact)电池背面镀氧化硅的质量问题。尤其是目前光伏行业往大硅片的方向发展，更突显了镀膜均匀性和质量的重要性，为高效大硅片电池的发展铺平道路。

附图说明