[发明专利]一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法有效
| 申请号： | 202110335300.5 | 申请日： | 2021-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN113078112B | 公开（公告）日： | 2023-03-31 |
| 发明（设计）人： | 钱凌轩;张诚;谭欣月;张万里 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L27/092 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 甘茂 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，具体提供一种氧化物基耗尽型负载反相器的制备方法，用以解决现有耗尽型负载反相器存在的制备工艺复杂、稳定性低、生产成本高等问题。本发明采用负载管(耗尽型晶体管)与驱动管(增强型晶体管)的栅介质层单独制备、氧化物半导体层一步制备的工艺，通过负载管与驱动管的栅介质层制备过程中的氧气含量的控制，实现负载管与驱动管的阈值电压的单独调节，使驱动管的阈值电压为正值、负载管的阈值电压为负值，进而构成氧化物基耗尽型负载反相器。本发明方法制备得氧化物基耗尽型负载反相器的氧化物半导体层一步制备可得，工艺稳定。因此，本发明具备制备工艺简单、稳定性高、制备成本低，利于工业化生产等优势。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氧化物 耗尽 负载 反相器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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