[发明专利]发光二极管外延片的制备方法有效
| 申请号： | 202110324236.0 | 申请日： | 2021-03-26 |
| 公开（公告）号： | CN113284992B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 王群;郭志琰 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了发光二极管外延片的制备方法，属于发光二极管制作领域。在生长p型GaN层时，可以先在多量子阱层上生长第一p型GaN子层，并在生长完第一p型GaN子层之后，使用离子束均匀地轰击第一p型GaN子层的表面一定时长。离子束会在第一p型GaN子层的表面均匀地制造出较多原子级缺陷。继续在第一p型GaN子层上生长第二p型GaN子层时，第二p型GaN子层与第一p型GaN子层的界面处会出现大量应力及缺陷交错湮灭的情况，第二p型GaN子层的远离衬底的一面原子级缺陷较少，第二p型GaN子层的远离衬底的一面也会较为平整，光线受不同缺陷影响而具有不同出光角度的情况较少，有利于提高发光二极管的出光一致性。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 制备 方法 | ||
【主权项】：
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