[发明专利]一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块在审
| 申请号： | 202110302829.7 | 申请日： | 2021-03-22 |
| 公开（公告）号： | CN112908955A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张豫川;钟星立;龙海洋 | 申请（专利权）人： | 中冶赛迪工程技术股份有限公司;中冶赛迪技术研究中心有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/367 | 分类号： | H01L23/367;H01L23/373;H01L23/10;H01L29/739;H01L25/07 |
| 代理公司： | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人： | 阴知见 |
| 地址： | 400013*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于梯度功能复合材料封装的压接型IGBT功率模块，集电极金属层和发射极金属层之间IGBT子模块包括从上到下依次压接的集电极梯度功能复合材料层、IGBT功率芯片、发射极梯度功能复合材料层、铜底座和栅极PCB板，压接后的IGBT子模块外套装封装外壳支架，压接后发射极梯度功能复合材料层和铜底座的缺口内放置有栅极弹簧顶针，集电极梯度功能复合材料层与集电极金属层和IGBT功率芯片集电极表面以及发射极梯度功能复合材料层与IGBT功率芯片的发射极表面和铜底座的热膨胀系数相匹配，解决现有压接型IGBT功率模块中IGBT功率芯片与封装材料组件间热膨胀系数不匹配导致组件界面电热接触性能下降、散热效率降低、器件使用寿命缩短的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 梯度 功能 复合材料 封装 压接型 igbt 功率 模块 | ||
【主权项】：
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