[发明专利]一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管有效
| 申请号： | 202110299287.2 | 申请日： | 2021-03-21 |
| 公开（公告）号： | CN112951957B | 公开（公告）日： | 2021-12-21 |
| 发明（设计）人： | 李毅;朱友华;王美玉;胡涛;葛梅 | 申请（专利权）人： | 南通大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32 |
| 代理公司： | 南通博瑞达专利代理事务所(特殊普通合伙) 32530 | 代理人： | 刘翔 |
| 地址： | 226019 江苏省南通*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种耦合量子阱结构深紫外AlGaN基发光二极管，至少包含：n型半导体层、由势垒层和耦合AlGaN阱层周期交叠构成的多量子阱结构、p型半导体层，其特征在于：所述耦合AlGaN阱层至少包括三层结构，从下到上依次为Al |
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| 搜索关键词： | 一种 耦合 量子 结构 深紫 algan 发光二极管 | ||
【主权项】：
暂无信息
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