[发明专利]一种STT-MRAM相关电路的磁性工艺设计方法有效
| 申请号： | 202110295434.9 | 申请日： | 2021-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN113515913B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 王佑;侯正义;赵巍胜 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学合肥创新研究院（北京航空航天大学合肥研究生院） |
| 主分类号： | G06F30/367 | 分类号： | G06F30/367;G06F30/398 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 苗娟 |
| 地址： | 230013 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明的一种STT‑MRAM相关电路的磁性工艺设计方法，用于STT‑MRAM相关电路的设计，包括通过计算机工具配置设计系统，所述设计系统包括STT‑MTJ单元库、标准单元库、工艺文件及物理验证规则文件，所述STT‑MTJ单元库包含以下文件：SPICE仿真模型veriloga，符号symbol，版图layout和auCdl；所述标准单元库中包含基于MTJ设计的1T1R基本存储单元、与非门、或非门、读写电路基本单元的电路图、符号和版图，可用于设计过程中直接调用。本发明的磁性工艺设计包囊括了STT‑MRAM相关电路设计所必需的各种文件，可辅助完成STT‑MRAM的全流程设计；本发明的设计规则可根据工艺厂商流片的数据灵活地进行配置，具有高可靠性和实用性；本发明的磁性工艺设计包具有很高的灵活性，可通过简单的修改与不同工艺节点的传统工艺设计包兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 stt mram 相关 电路 磁性 工艺 设计 方法 | ||
【主权项】：
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