[发明专利]一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法有效
| 申请号： | 202110292870.0 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN112939606B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 王红洁;王以强;苏磊;彭康 | 申请（专利权）人： | 西安交通大学 |
| 主分类号： | C04B35/565 | 分类号： | C04B35/565;C04B38/06 |
| 代理公司： | 西安通大专利代理有限责任公司 61200 | 代理人： | 范巍 |
| 地址： | 710049 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多孔碳化硅陶瓷及其制备方法，属于碳化硅陶瓷材料制备技术领域。其制备过程如下：1)以SiC粉、混合树脂溶液、碳化硼为原料，充分球磨混合均匀后制成生粉，经造粒、模压、冷等静压后制成生坯；2)将生坯在真空条件下以小于100℃/h的升温速度升至700～900℃，保温2～4h并随炉冷却，使其中的混合树脂充分碳化留下孔隙；3)在常压保护气氛下以200～300℃/h的升温速度升至2000～2200℃，随炉冷却后移至空气炉中在400～500℃下煅烧除去多余的碳，即得到该多孔碳化硅陶瓷。本发明制备过程中避免了液相的生成，晶界纯净，其不仅具有良好的常温力学性能，耐高温性能、抗热震性能也比较优异，大大提升高温条件下多孔陶瓷材料性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 碳化硅 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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