[发明专利]一种高压元件非等向性制造方法在审
| 申请号： | 202110291965.0 | 申请日： | 2021-03-18 |
| 公开（公告）号： | CN113066722A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 徐涵;李珏蒨;高隆庆 | 申请（专利权）人： | 扬州虹扬科技发展有限公司;英属开曼群岛商虹扬发展科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/329 | 分类号： | H01L21/329;H01L21/304 |
| 代理公司： | 北京文苑专利代理有限公司 11516 | 代理人： | 周会 |
| 地址： | 225000 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种高压元件非等向性制造方法，包括如下步骤：S1：将半导体芯片表面清洗干净，备用；S2：将半导体芯片进行磷硼扩散，形成PN结的半导体芯片；S3：利用S2所得的半导体芯片P极表面朝上放在激光切割机载片台上，利用激光对半导体芯片进行垂直切割，形成垂直沟槽；然后将半导体芯片进行蚀刻步骤，获得所需的半导体芯片厚度；S4:蚀刻完毕后，在垂直沟槽里涂布玻璃浆料，经高温烧制形成绝缘层；S5:在半导体芯片P极和N极表面分别镀两层金属镍层，然后再镀一层抗氧化金属层。本发明可以有效改善传统二极管终端区晶粒反偏下电场过度集中现象。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 元件 向性 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
